Diode/Bridge Rectifier
Číslo dílu
Tokmas (Tokmas)
Výrobci
1200V40A Silicon carbideVF typical value 1.55V
Popis
88824 PCS
Na skladě
Číslo dílu
YFW (You Feng Wei)
Výrobci
I(AV) 3 VRRM(V) 200 IFsM(A) 80 VFM(V) 0.95 VFMI(AV)(A) 3 IRM@VRRM(μA) 0.3
Popis
92506 PCS
Na skladě
Číslo dílu
FOSAN (Fuxin)
Výrobci
Working current Io: 200MA Reverse withstand voltage VR: 100V
Popis
99104 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Slkor (Sakor Micro)
Výrobci
Ptot(mW) 150 VR(V) 80 IO(mA) 100 VF(V) 1.2 IF(mA) 100 IR(uA) 0.1 VR(V) 80 Trr(ns) 4
Popis
82304 PCS
Na skladě
Číslo dílu
SY (Shunye)
Výrobci
Schottky diode Silicon carbide DC reverse withstand voltage (Vr): 60V Average rectified current (Io): 2A Forward voltage drop (Vf): 700mV@2A 60V,2A,VF=0.52V@2A
Popis
99549 PCS
Na skladě
Číslo dílu
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Výrobci
DC Reverse Withstand Voltage (Vr) 1000 Average Rectified Current (Io) 20 Forward Surge Current (Ifsm) 260 Reverse Current (Ir) 10
Popis
88782 PCS
Na skladě
Číslo dílu
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Výrobci
Schottky diode Silicon carbide diode configuration: stand-alone DC reverse withstand voltage (Vr): 40V Average rectified current (Io): 350mA Forward voltage drop (Vf): 600mV@200mA Reverse current (Ir): 5uA@30V
Popis
92156 PCS
Na skladě
Číslo dílu
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Výrobci
Schottky diode Silicon carbide diode configuration: stand-alone DC reverse withstand voltage (Vr): 40V Average rectified current (Io): 350mA Forward voltage drop (Vf): 600mV@200mA Reverse current (Ir): 5uA@30V
Popis
65544 PCS
Na skladě
